前驱体系列

前驱体是半导体集成电路制程薄膜沉积必不可少的关键材料, 常用于原子沉积( ALD ) 和化学气相沉积( MOCVD ) 工艺, 主要包含硅前驱体和金属前驱体,常用于High-K介电层、栅极侧壁等应用场景。具备优异电学性和工艺兼容性,保障器件的良率与高性能。

特性
  • 高纯

  • 高沉积速率

  • 低沉积温度

  • 沉积均匀性优异

  • 台阶覆盖率优异

用途
  • 芯片

产品系列

硅基前驱体
高K前驱体