前驱体系列
前驱体是半导体集成电路制程薄膜沉积必不可少的关键材料, 常用于原子沉积( ALD ) 和化学气相沉积( MOCVD ) 工艺, 主要包含硅前驱体和金属前驱体,常用于High-K介电层、栅极侧壁等应用场景。具备优异电学性和工艺兼容性,保障器件的良率与高性能。
特性
-
高纯
-
高沉积速率
-
低沉积温度
-
沉积均匀性优异
-
台阶覆盖率优异
用途
芯片
产品系列



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前驱体系列
前驱体是半导体集成电路制程薄膜沉积必不可少的关键材料, 常用于原子沉积( ALD ) 和化学气相沉积( MOCVD ) 工艺, 主要包含硅前驱体和金属前驱体,常用于High-K介电层、栅极侧壁等应用场景。具备优异电学性和工艺兼容性,保障器件的良率与高性能。
高纯
高沉积速率
低沉积温度
沉积均匀性优异
台阶覆盖率优异
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